今天分享一個(gè)PMOS的電路設(shè)計(jì)，詳細(xì)了解下各個(gè)元器件在電路中起到的作用。

　　這里的Q1為NPN三極管，Q2為PMOS管，MCU通過(guò)高低電平控制三極管Q1的導(dǎo)通和關(guān)斷。

　　當(dāng)Q1關(guān)斷時(shí)，由于電阻R沒(méi)有電流流過(guò)，A點(diǎn)的電壓等于Vin，也就是說(shuō)Q2的柵極電壓VG等于Vin，此時(shí)Q2的源極電壓VS也等于Vin，Q2的G、S兩端的電壓等于0，Q2關(guān)斷，此時(shí)的VOUT輸出關(guān)斷。

　　當(dāng)Q1導(dǎo)通時(shí)，A點(diǎn)電壓為0，此時(shí)的Q2是G、S電壓為0-Vin=-Vin，當(dāng)-Vin滿足Q2的PMOS 管的導(dǎo)通門(mén)限電壓，Q2導(dǎo)通，也就是說(shuō)Vout輸出導(dǎo)通。

　　開(kāi)關(guān)管Q1

　　可以選擇NMOS或者NPN三極管，根據(jù)MCU的IO電壓來(lái)選擇MOS管的開(kāi)啟電壓要大于三極管的開(kāi)啟電壓。

　　限流電阻R2

　　R2的選值要根據(jù)MCU的IO電壓、最大輸出電流和開(kāi)關(guān)管Q1的類型來(lái)選擇，MOS管的限流電阻通?？梢栽趲资讣?jí)別，三極管的限流電阻要根據(jù)MCU的IO電壓/最大輸出電流來(lái)計(jì)算，一般在kΩ級(jí)別。

　　上下電阻R3

　　R3可作為上拉電阻，也可作為下拉電阻。

　　這是根據(jù)VOUT的默認(rèn)狀態(tài)來(lái)決定的，在上電時(shí)，MCU還沒(méi)準(zhǔn)備好，此時(shí)就需要一個(gè)電阻來(lái)固定電平;如果默認(rèn)VOUT上電，那么R3就需要上拉，反之則是下拉，

　　上拉的電壓VCC是MCU的IO供電電壓。

　　GS并聯(lián)電容C

　　在PMOS的GS之間并聯(lián)一個(gè)電容C。當(dāng)開(kāi)啟PMOS時(shí)，先給電容C充電，此時(shí)PMOS的VGS從0開(kāi)始上升，PMOS經(jīng)過(guò)可變電阻再到飽和區(qū)，可以防止開(kāi)通瞬間后級(jí)電路中，各種因素，導(dǎo)致PMOS被大電流沖擊。

　　GS電阻R1

　　R1的選值在幾十上百KΩ，能有效減小Q1導(dǎo)通時(shí)的功耗。不過(guò)這里要注意，R1給MOS的GS電容提供了放電回路，如果R1過(guò)大，就會(huì)導(dǎo)致MOS管關(guān)斷速度變慢。