這是沒有做軟開啟的電源電壓，上升時十分陡峭。

　　這是加入了軟開啟，上升沿變得平緩。

　　而只要增加一個電容和一個電阻，就能實現(xiàn)電路的軟啟動功能.

　　當一個電源電壓為5V時，負載為一個大容量電容，電源會瞬間開啟，讓電壓瞬間上升達到5V，此時電容充電電流會非常大。如果將這個電源電壓上升到2.5V，這個電流就會小很多，這個時候就需要軟啟動了。

　　帶軟開啟功能的MOS管電源開關電路

　　軟啟動：讓電源緩慢開啟，以限制電源啟動時的 浪涌電流。

　　分享一個網上看到的電路，它是利用電容C1的充電時間讓MOS管導通，然后實現(xiàn)了軟開啟的功能。

　　【圖1：框圖中1個MOS管符號代表1個完整的MOS管電源開關電路】

　　【圖2：電容C1、電阻R2實現(xiàn)軟開啟(soft start)功能】

　　當輸入信號為低電平或者高阻時，電源+5V上電，Q2基極被拉低到地，三極管關閉，隨后MOS管Q1關閉。

　　這是因為電源+5V還不穩(wěn)定，電源無法打開向后級電路輸出。

　　此時電源+5V剛上電，MOS管的G極和S極同等電勢，也就是說Vgs=0，Q1關閉。

　　這里的R4電阻的作用是當輸入信號為高阻時，避免Q2浮空。

　　當電源上電完成后，GS兩端都為5V，Vgs保持為0

　　此時將輸入信號設為高電平，大概3.3V，Q2的基極為0.7V，電流為0.26mA：

　　(3.3V - 0.7V) / 基極電阻R3 = 0.26mA

　　當Q2飽和導通，Vce≈0;

　　電容C1通過電阻R2充電，C1與G極相連端的電壓由原本的5V緩慢下降為0V，Vgs電壓逐漸增大;Q1MOS管緩慢打開，最后完全打開，Vgs=-5V，實現(xiàn)軟開啟。

　　這是MOS管打開時的電流流向：

　　電源打開后，+5V_OUT 輸出為5V電壓。此時將 Control 設為低電平，三極管Q2關閉，電容C1與G極相連端通過電阻R2放電，電壓逐漸上升到5V，起到軟關閉的效果。軟關閉一般不是我們想要的，過慢地關閉電源，可能出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定等異常。

　　當電容容量越大，電壓越高，時間越短，電流就會越大，浪涌電流就會形成。

　　而這個電路利用電容C1的充電時間實現(xiàn)了MOS管Q1 的導通，實現(xiàn)了軟開啟的功能。

　　不過大電容只是形成浪涌電流的原因之一，其他負載也會引起浪涌電流。