純手工打造!19歲天才少年自制1200個(gè)晶體管的CPU
發(fā)布時(shí)間:2023-11-17作者:admin點(diǎn)擊:287
動(dòng)手能力哪家強(qiáng)?
在推特上看到一個(gè)19歲的博主,耗時(shí)整整3年,純手工自制1200個(gè)晶體管的CPU。
這位叫做 Sam Zeloof 的美國大學(xué)生,最終打造出1200個(gè)晶體管的CPU!
在10微米的多晶硅柵極工藝上實(shí)現(xiàn),命名為Z2。
重點(diǎn)是,與英特爾上世紀(jì)70年代聞名于世的處理器4004使用了相同技術(shù)。
PS排陣列,車庫自制,超越「摩爾定律」
這款Z2芯片由第一代升級(jí)而來。
18年,17歲的他曾制作了首個(gè)集成電路Z1,有6個(gè)晶體管。
和以前一樣,整個(gè)過程在他的「車庫工廠」進(jìn)行,使用不純的化學(xué)品,自制的設(shè)備,沒有無塵室。
首先,Zeloof 在 Photoshop 中布局了一個(gè)簡(jiǎn)單的 10x10 晶體管陣列。
一列中的10個(gè)晶體管共享一個(gè)共同的柵極連接,每行串聯(lián)在一起,與相鄰的晶體管共享一個(gè)源極/漏極。
單個(gè)10微米 NMOS 晶體管樣子如下,金屬層有些不對(duì)齊,紅色的輪廓是多晶硅,藍(lán)色是源極/漏極。
之前,Zeloof 一直采用金屬柵極工藝制作。
鋁柵極是與其下面的硅溝道具有很大的功函數(shù)差異,從而導(dǎo)致高閾值電壓(>10V)。
比如,吉他失真踏板和環(huán)形振蕩器 LED 閃光器,由于這兩種材料閾值電壓值高,都需要一個(gè)或兩個(gè) 9V 電池來運(yùn)行電路。
為了節(jié)省功耗,Zeloof 選用多晶硅柵極工藝,性能得到提升,自對(duì)準(zhǔn)柵極就不會(huì)產(chǎn)生高閾值電壓。
這使得這些芯片與2.5V 和3.3V 邏輯電平兼容。
圖紙?jiān)O(shè)計(jì)好后,接著切割晶片,對(duì)多晶硅柵極進(jìn)行蝕刻。
Zeloof改進(jìn)了工藝流程,采用自對(duì)準(zhǔn)方法,選擇高溫?cái)U(kuò)散而不是離子注入進(jìn)行摻雜。
因?yàn)楣杵弦呀?jīng)有了各種材料,所以他只需要找到一層薄薄的 SiO2 (大約10nm) ,然后是厚一點(diǎn)的多晶硅 (300nm)。
結(jié)果顯示,Z2 比 Z1 有了飛躍性的進(jìn)步。
改用多晶硅柵極工藝大大降低了功耗,但由于沒有純凈的化學(xué)品和沒有潔凈室,產(chǎn)量很低。
Zeloof 表示,「我已經(jīng)做了15個(gè)芯片(1500個(gè)晶體管),并知道至少有一個(gè)完全功能的芯片和至少兩個(gè)大部分功能,這意味著良率低于 80%,而不是100%。」
視頻開篇,Zeloof 調(diào)侃自己車庫造芯超越摩爾定律。
網(wǎng)友還順便嘲笑了「擠牙膏」廠英特爾,到了2025年
Zeloof :我終于做到了5nm。
英特爾:這是我們最新的10nm+++++++ 工藝。
極客少年,造芯夢(mèng)
那么,2018年,Sam Zeloof 究竟做了什么?
盡管CPU芯片制造門檻越來越高,但天才少年Zeloof并沒有放棄夢(mèng)想。
2018年,17歲的他還只是一名高三學(xué)生,但他已經(jīng)成功制作了首個(gè)集成電路Z1,擁有6個(gè)晶體管,使用5微米的PMOS工藝。
在接受The Amp Hour采訪時(shí),Zeloof提到此次發(fā)明的靈感源自于YouTube頻道,Jeri Ellsworth在個(gè)人頻道中演示了如何不用特殊工具來切割硅片、自制硅晶體管的方法。
受此啟發(fā),Zeloof計(jì)劃在Jeri Ellsworth的基礎(chǔ)上來制作集成電路。
這樣一位傳奇的少年,可以說是一位資深的電子愛好者。
他在高中時(shí)就開始自己制作芯片,并在家里學(xué)習(xí)了制造芯片所需的信息和機(jī)器。
他從eBay上買來零部件和材料,打造成一個(gè)半導(dǎo)體制造實(shí)驗(yàn)室。
這位才華橫溢的少年認(rèn)為,嘗試制造芯片是一種了解半導(dǎo)體和晶體管內(nèi)部運(yùn)作情況的方法。
從2017年起,他開始在博客介紹自己的項(xiàng)目,Zeloof收到了很多積極的反饋。
一些上世紀(jì)70年代的資深工程師也為Zeloof提供了很多建議,希望他能開發(fā)出一種相對(duì)簡(jiǎn)單的方法,克隆4004芯片技術(shù),從而更好的為自己開發(fā)芯片服務(wù)。