當一個直流電源同時供給處于高處，不方便上去順序接通(減小啟動電流)的兩個負載時，如果負載同時上電，該直流電源會出現(xiàn)無法正?！皢印陛敵龅那闆r，手上沒有延時通電繼電器，只有若干電子元件(電阻、電容、電感、二極管、晶體管之類)，試設(shè)計一個簡易延時通電電路，讓其中一個負載后于另一個負載上電，以錯開啟動之峰。

　　【構(gòu)思】假定負載為24V直流電機，24V開關(guān)電源供電。開關(guān)送電后，一個負載立即通電，要求延時1秒后給再另一個負載通電。

　　最直接，最簡單且經(jīng)濟的想法是利用RC延時，即上電后電源開始給電容充電，當電容電壓上升到某一閾值時，依靠電容電壓使晶體管(三極管、場管、可控硅等)導通，使電源接通負載。在這里，我傾向于使用單向可控硅，因為這種器件具有奇特的“脈沖驅(qū)動保持”特性，單向可控硅的觸發(fā)電壓在2V左右，我選用2N5063。上面的思路用下面的圖來展現(xiàn)：

　　電路完成一次延時啟動后，如果斷開SW，C1上有殘存電壓，從上圖可看出它沒有放電通路。如果再次閉合SW，由于C1殘存電壓的影響，可控硅會立即觸發(fā)，這就沒有起到延時啟動的作用。因此要在SW斷開后及時給C1放電，最簡單的辦法是給C1并聯(lián)一個阻值較大的泄放電阻(通常用1M的，既不會影響充電速度及“鎖死”觸發(fā)電壓，又能較快速地放電)。增加泄放電阻后的電路如下圖：

　　由設(shè)計要求可知，上面的電路既要滿足R1C1=1s，又要滿足可控硅的觸發(fā)條件(Ugs≈2V)，這有時不可兼得。為了調(diào)整觸發(fā)電壓，可在可控硅的門極灌入方向串聯(lián)若干二極管，比如1N4007,每串入一個二極管，電容提供的觸發(fā)電壓會抬升約0.7V，反之降低0.7V。見下圖示意(將另一負載電機也畫入)：

　　至此，電路的構(gòu)思完畢，接下來確定元件的參數(shù)。

　　【計算】為方便計算，我選R1=1k，上電時R1C1支路的瞬態(tài)電流為：24V/1k=24mA，對電容的沖擊不大。電容的耐壓按電源電壓的1.5~2倍計算，所以耐壓值為24*2=48V(用50V)。

　　設(shè)計要求延時R1C1=1秒，C1=[1/(1*10^3)]*10^6=1000uF。

　　R1功率核算：(24/1000)^2*1000=0.576W，選降額系數(shù)0.6，可選用0.576/0.6≈1W的直插金屬膜電阻(碳膜也行)。

　　最終參數(shù)，R1：1k 1W，C1:1000uF 50V(鋁電解電容)。完整的原理圖如下：