1.比較器

　　比較器是能夠?qū)崿F(xiàn)比較兩個輸入端的電壓或電流的大小功能的電路。它有兩個輸入端Vi+和Vi-,一個輸出端Vout。輸入端接的是模擬信號，輸出端輸出的是數(shù)字信號。

　　1.1 過零比較器

　　過零比較器就是參考電壓Vref=0：

　　1.2 滯回比較器

　　對于簡單比較器，當兩個輸入端電壓極為接近時，由于輸入電壓的毛刺就會導致輸出端產(chǎn)生連續(xù)跳變，就是所謂的振鈴效應。為了解決這個問題，就出現(xiàn)了滯回比較器。滯回比較器的輸入端電壓逐漸增大或減小時，有兩個不相等的閾值，其傳輸特性曲線具有滯回曲線的特性，因此具有較強的抗干擾能力。

　　2.二極管

　　2.1 鉗位二極管

　　二極管鉗位電路利用二極管的單向?qū)ㄌ匦?，即當二極管負極電壓大于正極時，二極管截止;而當正極電壓大于負極并且導通之后，二極管兩端電壓被鉗位在它的管壓降上。

　　常見的雙二極管鉗位電路：

　　當Pin點的電位Upin ≥ (VDD+0.7)時，此時D1會導通，D2截止，而將Pin點的電位限制在VDD+0.7;

　　當Pin點的電位在范圍(GND-0.7) < Upin < (VDD+0.7)時，D1截止，D2截止;

　　當Pin點的電位Upin ≤ (GND-0.7)時，D1截止，D2會導通而將Pin點的電位限制在GND-uD;

　　綜上所述，Pin點的電位范圍會被限制在(GND-uD) ≤ Upin ≤ (VDD+uD)

　　2.2 續(xù)流二極管

　　續(xù)流二極管在電路中反向并聯(lián)在繼電器或電感線圈的兩端，當電感線圈斷電時，其兩端的電動勢并不立即消失，正好與二極管形成一個回路，回路中的電流方向和二極管正向?qū)ǎ藭r殘余電動勢被釋放。

　　2.3 穩(wěn)壓二極管

　　穩(wěn)壓二極管是利用PN結(jié)反向擊穿時其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的特性。

　　穩(wěn)壓管二極管并聯(lián)聯(lián)入電路工作：

　　3.三極管

　　三極管分為NPN和PNP兩種類型，是流控流型的器件，它的Ib電流是可以控制Ic電流的，而且Ib是小電流，Ic是大電流，所以三極管是用小電流控制大電流的器件，用公式表示的話，就是Ib*β = Ic。一般情況下，β是在30~300之間，三極管的型號不同，三極管的放大倍數(shù)也不同，即使是同一個型號的三極管，它的放大倍數(shù)也有差異。

　　3.1 NPN型

　　對于NPN型三極管,BE極之間相當于一個二極管。在BE極上加一個電源，當電源電壓高于0.7V的時候，BE極之間的二極管就導通了;當E極電位高于B極電位時，BE之間的二極管就反向截止了，所以BE之間沒有電流流過，也就是說，和二極管一樣，BE極之間也是具有單向?qū)щ娦缘摹?/p>

　　導通后的三極管，分為兩種狀態(tài):一種是放大狀態(tài)，一種是飽和狀態(tài)。故三極管一共有三種狀態(tài)，截止狀態(tài)，飽和導通狀態(tài)，放大導通狀態(tài)

　　當VC>VB>VE時，即發(fā)射極正偏，集電極反偏，三極管處于放大狀態(tài);

　　當VB>VC>VE時，即發(fā)射極正偏，集電極正偏，三極管處于飽和狀態(tài);

　　當VB

　　如下是三極管基極和發(fā)射極之間的偏置電路，當BE導通時，Vbe就會被鉗位在0.7V，此時流過電阻R1的電流為：Ib = (Vin-0.7)/R1，則Ic=βIb

　　3.2 PNP型

　　對于PNP型三極管,在BE極上加一個反向電源，當Veb高于0.7V的時候，基極和發(fā)射極之間導通;當E極電位低于B極電位時，基極和發(fā)射極之間反向截止。

　　當VE>VB>VC時，即發(fā)射極正偏，集電極反偏，三極管處于放大狀態(tài);

　　當VE>VC>VB時，即發(fā)射極正偏，集電極正偏，三極管處于飽和狀態(tài);

　　當VB>VE>VC時，即發(fā)射極反偏，集電極反向，三極管處于截止狀態(tài);

　　4.MOS管

　　MOS管由源極、漏極和柵極三個電極組成。根據(jù)柵極和溝道之間的型別不同，MOS管可分為P型MOS管和N型MOS管，PMOS管中的溝道為P型溝道，而NMOS管中的溝道為N型溝道。

　　NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況。

　　PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況。

　　4.1 NMOS/PMOS的基本驅(qū)動電路

　　如圖所示，左邊為NMOS基本驅(qū)動電路，右邊為PMOS基本驅(qū)動電路，對于NMOS來說，Ctrl In為低電平時，NMOS不導通，Ctrl In為高電平(高于Vth)時，NMOS導通。對于PMOS來說，Ctrl In為低電平時，PMOS導通，Ctrl In為低電平時，PMOS不導通。