功率MOS管具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，不會發(fā)生熱失控，因此 并聯(lián)多個MOSFET是一種很常見的使用方法，它可以減少傳導(dǎo)損耗和分散功耗，以便限制最大結(jié)溫。

　　1.功率MOS并聯(lián)要點：

　　在高速下空中高功率下，進行并行連接時，最主要的是需要避免電流集中，以及過電流，能夠確保在所有可能的負(fù)載條件下，很好地平衡、均勻所有流過器件的電流。

　　2.功率MOS并聯(lián)時的靜態(tài)/動態(tài)動作

　　靜態(tài)：

　　Rds(on)較低的MOS管能夠?qū)ǜ嗟碾娏鳌?/p>

　　當(dāng)它升溫時，Rds(on)增加，部分電流將轉(zhuǎn)移到其它MOS管上，電流共享取決于每個MOS的相對的電阻值。

　　注意：a.每個MOS的電流與其接通電阻的Rds(on)的倒數(shù)成正比關(guān)系;

　　b.熱耦合良好的平行放置MOS的結(jié)溫度大致相同。

　　動態(tài)：

　　動態(tài)運行時，閾值電壓Vgsth最低的MOS管首先打開，最后關(guān)閉。這種MOS管一般會占據(jù)更多的開關(guān)損耗，并且在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中，承擔(dān)了更高的電應(yīng)力。

　　3.開啟、關(guān)斷閾值保持一致

　　由于功率MOS切換時間會有所差異，因此在通電和斷電期間容易出現(xiàn)不平衡，而在開關(guān)時間上的變化很大程度是由門-源閾值電壓Vth的值。即：Vth的值越小，通電時間越快。相反，斷電期間，Vth的值越大，截止的速度就越快。

　　此外，當(dāng)電流集中在一個具有較小Vth的功率MOS上時，通電與斷電的過程中會出現(xiàn)電流不平衡，這會讓設(shè)備功率損耗過大，導(dǎo)致故障。因此，最好使用相近Vth值以及開關(guān)時間的變化，在每個MOS之間插入一個電阻，可以確保穩(wěn)定運行以及防止異常振蕩。

　　4. 其他要點：

　　A.每個MOS需要柵極電阻，且阻值在幾Ω到幾十Ω,防止電流共享和振蕩;

　　B.MOS管具備良好的熱耦合，確保電流和熱平衡;

　　C.避免在GS之間添加外部器件，可以適當(dāng)調(diào)整電阻值，優(yōu)化開關(guān)速度。

　　問題來了，那并聯(lián)多個 雙極晶體管和MOS管有什么主要區(qū)別嗎?

　　雙極晶體管由于是基極電流驅(qū)動，因此電流平衡更容易被基極-發(fā)射極電壓Vbe的波動所破壞，這樣會導(dǎo)致并聯(lián)連接均衡會變得困難。

　　而功率MOS管，由于是電壓驅(qū)動，因此只需要向并聯(lián)連接的每個MOS管提供驅(qū)動電壓就可以保持相當(dāng)不錯的均衡性，使并聯(lián)更加容易，因此MOS管相比雙極晶體管，在多個并聯(lián)的場景中會更有優(yōu)勢。