首先開(kāi)關(guān)電源是一門(mén)很復(fù)雜的領(lǐng)域，很多人說(shuō)電源就是吃經(jīng)驗(yàn)，現(xiàn)實(shí)也存在靠經(jīng)驗(yàn)和試錯(cuò)來(lái)調(diào)試的工程師。

　　個(gè)人感覺(jué)是因?yàn)?a href="http://google-reseller.cn/">開(kāi)關(guān)電源想從理論的層次去解釋一個(gè)問(wèn)題產(chǎn)生的原因和從理論去解決往往十分困難的。比如變壓器交叉調(diào)整率的怎么計(jì)算，環(huán)路中奇奇怪怪的伯德圖產(chǎn)生原因?但是充實(shí)的理論知識(shí)還是可以在出現(xiàn)新問(wèn)題的時(shí)候更快的定位問(wèn)題。更好的做定性分析。

　　看這個(gè)系列的同學(xué)需要儲(chǔ)備的知識(shí)

　　基本的電路知識(shí)，基本的器件知識(shí)即可，如果是課本上的內(nèi)容就是模電和電路。

　　快速過(guò)一下反激基本原理

　　1、 其實(shí)在圖片之前還有一個(gè)EMI模塊。但是不在本次系列的講解中。

　　2、經(jīng)過(guò)整流橋整流之后會(huì)給大電解充電，這個(gè)應(yīng)該比較好理解吧，整流橋把交流電流整流為直流點(diǎn)，輸入大電解進(jìn)行穩(wěn)定電壓。安撫一下輸入的電壓，別太躁動(dòng)。

　　3、原邊MOS相當(dāng)開(kāi)關(guān)，開(kāi)關(guān)時(shí)間決定了原邊電感的輸入能量大小(DCM tis：不用理解DCM是什么)

　　4、原邊MOS關(guān)閉期間，變壓器儲(chǔ)存的能量無(wú)處可去，結(jié)果發(fā)現(xiàn)副邊居然有一個(gè)乖乖是單向?qū)ǖ耐嬉?二極管D2、D3)那就往你那邊跑吧，就給后面的C3輸入電容充電。

　　5、MOS開(kāi)通，變壓器儲(chǔ)能，D3反向截止，輸出端電壓由輸入電容維持。

　　。。。。。

　　里面還有很多很細(xì)的細(xì)節(jié)，我們慢慢道來(lái)。

　　RCD原理

　　上圖里面沒(méi)有講到的一個(gè)是D1、C2、R1組成的東西。

　　一般我們稱(chēng)為RCD吸收電路。

　　RCD的出現(xiàn)是為了解決原邊MOS關(guān)閉的時(shí)候漏感能量造成原邊MOS應(yīng)力過(guò)高的問(wèn)題，這句話我慢慢解釋。

　　1、現(xiàn)實(shí)變壓器不是理想的，像98折的充值活動(dòng)一樣，原邊繞組(原邊線圈)充了100塊錢(qián)，但是到副邊只剩98塊錢(qián)了，中介吞了2塊錢(qián)。這中介便是漏感，漏感通俗的定義是無(wú)法耦合到副邊的感量。顧名思義，測(cè)量也非常簡(jiǎn)單，通過(guò)短路輸入繞組，再測(cè)量原邊的感量，由于輸入繞組短路，磁芯磁路被短路，耦合到副邊的能量都被短路了，還能測(cè)量出來(lái)的便是漏感。如下圖表示：

　　2、漏感存在又會(huì)造成什么問(wèn)題呢，好問(wèn)題，給提出這個(gè)問(wèn)題的小朋友點(diǎn)贊。

　　As we all know 原邊的MOS開(kāi)通的時(shí)候，會(huì)給原邊的電感充入100塊錢(qián)的電流，那你猜一下，100塊錢(qián)原邊電感能全部得到嗎?顯然不能，因?yàn)槁└泻驮叺碾姼袝r(shí)串聯(lián)關(guān)系，會(huì)根據(jù)他們的感量來(lái)分配著100塊錢(qián)，假如漏感分到了2塊錢(qián)，而漏感的定義是無(wú)法耦合到副邊的感量那這兩塊錢(qián)又該用在什么地方呢。

　　As we all know 電感的電流不能突變，假如mos關(guān)斷的一刻，漏感上的電流已經(jīng)達(dá)到1A，那MOS關(guān)斷的時(shí)候，MOS阻抗近似無(wú)窮大，假設(shè)10兆歐姆吧，1A電流不能突變，回路已經(jīng)形成了10兆歐姆的阻抗，那電壓是多少呢?顯而易見(jiàn)是1A*10兆歐=10兆伏=10 000 000V，一般MOS耐壓多少V呢，650V?700V?這時(shí)候MOS是不是會(huì)承受一個(gè)10兆伏的電壓，MOS可抗不住，直接躺平，boom的一聲，然后同事就圍上來(lái)：“喲，這次怎么沒(méi)有上次響呢?”

　　3、既然出現(xiàn)了問(wèn)題，那就有解決問(wèn)題的方案，那就是RCD電路：

　　上面第2點(diǎn)種很說(shuō)明了在mos關(guān)斷的時(shí)候因?yàn)槁└袝?huì)產(chǎn)生很大漏感尖峰電壓，這種會(huì)超過(guò)MOS的耐壓造成MOS損壞。現(xiàn)在一個(gè)個(gè)狀態(tài)在分析RCD狀態(tài)。

　　3-1：如下圖，在整系統(tǒng)沒(méi)有開(kāi)啟前，三個(gè)測(cè)量針的位置都是311V，R1會(huì)吧C1兩端電壓維持一致都是311V，變壓器原變也是導(dǎo)通的，也是311V。

　　3-2：如下圖，在MOS導(dǎo)通的時(shí)候，mos的d極會(huì)被拉到地，也就是0V，變壓器原邊兩端形成壓差，電流線性上升，同時(shí)漏感是串聯(lián)進(jìn)去的，也存在漏感電流線性上升。

　　3-3：MOS由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)閉，變壓器儲(chǔ)存的能量轉(zhuǎn)到副邊，而漏感的能量，無(wú)法轉(zhuǎn)移到副邊。漏感電流方向不變，還是從右到左，而MOS已經(jīng)關(guān)閉了，當(dāng)然關(guān)閉過(guò)程也是瞬間完成了，在MOS的DS間的阻值逐漸增大時(shí)，MOS漏極的電壓也逐漸升高。當(dāng)升高到311.7V，D1就會(huì)導(dǎo)通。

　　3-4同時(shí)也由于副邊的反射電壓，會(huì)在輸入電壓和反射電壓疊加形成MOS的電壓平臺(tái)(這個(gè)后面講，現(xiàn)在先講RCD部分)，漏感尖峰時(shí)疊加在MOS平臺(tái)電壓之上的。當(dāng)MOS漏極電壓比C1的下面的電壓高0.7V，二極管通道，漏感電流這時(shí)候就有去路了，而且C1有儲(chǔ)存能量的能力，不用憋屈在MOS上了。由于二極管導(dǎo)通了，漏感存儲(chǔ)的電流流向C1,C1的電壓逐漸升高，直到漏感能量完全釋放完。

　　3-5 漏感能力釋放完之后，MOS漏極的電壓下降到平臺(tái)電壓，二極管截至。直到下一個(gè)周期MOS管導(dǎo)通再關(guān)閉的時(shí)候，漏感尖峰比C1電壓高了才能重新導(dǎo)通。在重新導(dǎo)通之前，C1上面的電壓會(huì)被R1消耗，逐漸下降。直到下一個(gè)周期漏感尖峰電壓重新充電。如此反復(fù)。

　　總結(jié)：

　　1、漏感尖峰電壓會(huì)被RCD吸收，漏感能量一定，電容越大，電容充電的電壓就越低，吸收能力就越強(qiáng)，MOS漏極的電壓就越低。

　　2、在漏感能力釋放完之后(這個(gè)過(guò)程一般只有一個(gè)周期的3%時(shí)間)，是要通過(guò)R1釋放掉電容吸收的能量的，把電容的電壓降下來(lái)方便下一次漏感尖峰來(lái)之前再進(jìn)行吸收。

　　3、電容容量和電阻需要合理搭配，容量足夠即可，足夠能吸收漏感尖峰電壓，不至于超過(guò)MOS耐壓。電阻需要足夠小，小到在放電階段把電容電壓下降到MOS的電壓平臺(tái)。但是不能下降過(guò)來(lái)電壓平臺(tái)，這樣就會(huì)把電壓平臺(tái)和母線電壓之間的能量也吸收釋放掉，得不償失。

　　總結(jié)之后就結(jié)束了嘛?不可能，公式都沒(méi)有一條，統(tǒng)統(tǒng)匯總到下面了，自己拿哈。